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“爱体育APP”5G基站射频市场:LDMOS开始下滑、GaN快速增长

发布时间:2021-08-31 丨 浏览次数:143

本文摘要:2016年8月29日,每年一次循例来为华为RF工程师授课的Qorvo高级FellowBillBoesch在深圳拒绝接受了采访,他说道:4G、5G基站大功率射频(RF)元件市场正在再次发生变革,原先的占到主导地位的LDMOS元件虽有成本较低的优势,但市场份额正在经常出现下降态势,代之而起的是新兴的GaN元件,它因其需要节省更加大功率的优势正在基站RF市场上快速增长。

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2016年8月29日,每年一次循例来为华为RF工程师授课的Qorvo高级FellowBillBoesch在深圳拒绝接受了采访,他说道:4G、5G基站大功率射频(RF)元件市场正在再次发生变革,原先的占到主导地位的LDMOS元件虽有成本较低的优势,但市场份额正在经常出现下降态势,代之而起的是新兴的GaN元件,它因其需要节省更加大功率的优势正在基站RF市场上快速增长。  他尤其提及,5G现在频谱标准还没以定,有可能会自由选择4-5GHz或更高至毫米波频段。对于手机终端来说,如果5G频段在4-5GHz左右,GaAsRF应当还是主流,但如果最后自由选择8GHz以上频段,GaNRF元件就应当不会沦为主流自由选择,因为它的高频和高功率性能更为引人注目。

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再行考虑到未来的汽车前向毫米波雷达将使用77GHz毫米波频段,GaN大功率RF元件未来毫无疑问将沦为市场的应用于主流。    图1:Qorvo高级FellowBillBoesch与笔者合影  左一、陈路主编,左二、BillBoesch,右二、Fay,右一、VIvoXie    图2:Qorvo高级FellowBillBoesch在深圳授课  Qorvo虽然2015年1月才月宣告正式成立,但只不过这不是一家新的公司,它是由两家在RF市场上久负盛名的美国公司Triquint和RFMD拆分而出,BillBoesch是这家公司的最低技术权威。  新兴的GaN功率元件使用一种享有类似于SiC性能优势的长能隙材料,但享有更大的成本掌控潜力,特别是在是高功率的硅基GaN具备更大输出功率与更慢工作频率,已被普遍寄予厚望沦为下一世代的大功率元件。

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